សូមស្វាគមន៍មកកាន់គេហទំព័ររបស់យើង!

អ្វីដែលជាសម្ភារៈគោលដៅ sputter

Magnetron sputtering coating គឺជាវិធីសាស្រ្តថ្នាំកូតចំហាយរាងកាយថ្មីមួយ បើប្រៀបធៀបជាមួយនឹងវិធីសាស្រ្តនៃការស្រោបចំហាយមុន គុណសម្បត្តិរបស់វានៅក្នុងទិដ្ឋភាពជាច្រើនគឺគួរឱ្យកត់សម្គាល់ណាស់។ក្នុងនាមជាបច្ចេកវិជ្ជាដែលមានភាពចាស់ទុំ ការខ្ទាស់មេដែកត្រូវបានអនុវត្តក្នុងវិស័យជាច្រើន។

https://www.rsmtarget.com/

  គោលការណ៍នៃការបាញ់មេដែក៖

វាលម៉ាញេទិក orthogonal និងវាលអគ្គិសនីត្រូវបានបន្ថែមរវាងបង្គោលគោលដៅ (cathode) និង anode ហើយឧស្ម័នអសកម្មដែលត្រូវការ (ជាធម្មតាឧស្ម័ន Ar) ត្រូវបានបំពេញនៅក្នុងបន្ទប់ទំនេរខ្ពស់។មេដែកអចិន្ត្រៃយ៍បង្កើតជាដែនម៉ាញេទិច 250-350 gaus នៅលើផ្ទៃនៃវត្ថុធាតុគោលដៅ ហើយវាលអេឡិចត្រូម៉ាញ៉េទិចត្រូវបានផ្សំជាមួយនឹងវាលអគ្គិសនីតង់ស្យុងខ្ពស់។នៅក្រោមឥទ្ធិពលនៃវាលអគ្គីសនី អ៊ីយ៉ូដឧស្ម័ន Ar ទៅជាអ៊ីយ៉ុងវិជ្ជមាន និងអេឡិចត្រុង គោលដៅ និងមានសម្ពាធអវិជ្ជមានជាក់លាក់ ពីគោលដៅពីបង្គោលដោយឥទ្ធិពលនៃដែនម៉ាញេទិក និងការកើនឡើងប្រូបាប៊ីលីតេអ៊ីយ៉ូដនៃឧស្ម័នដែលកំពុងដំណើរការ បង្កើតបានជាប្លាស្មាដង់ស៊ីតេខ្ពស់នៅជិត cathode, Ar ion នៅក្រោមសកម្មភាពនៃកម្លាំង lorentz បង្កើនល្បឿនដើម្បីហោះហើរទៅកាន់ផ្ទៃគោលដៅ ទម្លាក់គ្រាប់បែកលើផ្ទៃគោលដៅក្នុងល្បឿនលឿន អាតូមដែលបែកនៅលើគោលដៅធ្វើតាមគោលការណ៍នៃការបំប្លែងសន្ទុះ ហើយហោះចេញពីផ្ទៃគោលដៅដោយ kinetic ខ្ពស់។ ថាមពលទៅនឹងខ្សែភាពយន្តស្រទាប់ខាងក្រោម។

ជាទូទៅ​ការ​បញ្ចេញ​មេដែក​ត្រូវ​បាន​បែងចែក​ជា​ពីរ​ប្រភេទ​គឺ DC sputtering និង RF sputtering ។គោលការណ៍នៃឧបករណ៍ DC sputtering គឺសាមញ្ញ ហើយអត្រាគឺលឿននៅពេលដែក sputtering ។ការប្រើប្រាស់ RF sputtering គឺកាន់តែទូលំទូលាយ បន្ថែមពីលើការ sputtering សមា្ភារៈ conductive ប៉ុន្តែក៏ sputtering សមា្ភារៈ non-conductive ប៉ុន្តែក៏មាន reactive sputtering រៀបចំ oxides, nitrides និង carbides និងសមា្ភារៈសមាសធាតុផ្សេងទៀត។ប្រសិនបើប្រេកង់នៃ RF កើនឡើងនោះវាក្លាយទៅជាមីក្រូវ៉េវប្លាស្មា។នាពេលបច្ចុប្បន្ននេះ អេឡិចត្រុងស៊ីក្លូតុងរ៉េសូណង់ (ECR) ប្រភេទមីក្រូប្លាស្មា sputtering ត្រូវបានគេប្រើជាទូទៅ។

  សម្ភារៈគោលដៅថ្នាំកូត Magnetron sputtering:

សម្ភារៈគោលដៅ sputtering លោហៈ, សម្ភារៈថ្នាំកូត alloy sputtering, សម្ភារៈថ្នាំកូត sputtering សេរ៉ាមិច, boride សេរ៉ាមិច sputtering សម្ភារគោលដៅ, carbide សេរ៉ាមិច sputtering សម្ភារៈគោលដៅ, fluoride សេរ៉ាមិច sputtering សម្ភារៈគោលដៅ, nitride សេរ៉ាមិច sputtering សម្ភារៈគោលដៅ, អុកស៊ីដសេរ៉ាមិចគោលដៅ, selenide សេរ៉ាមិច sputtering សម្ភារៈគោលដៅ, សមា្ភារៈគោលដៅស៊ីលីកុនសេរ៉ាមិចស៊ីលីកុន សម្ភារៈគោលដៅសេរ៉ាមិចស៊ុលហ្វីត គោលដៅស៊ីលីកុនសេរ៉ាមិច Telluride គោលដៅសេរ៉ាមិចផ្សេងទៀត គោលដៅសេរ៉ាមិចអុកស៊ីដក្រូមីញ៉ូមអុកស៊ីដស៊ីលីកុន (CR-SiO) គោលដៅផូស្វ៊ីតឥណ្ឌា (InP) គោលដៅអាសេនីតនាំមុខ (PbAs) អាសេនីតឥណ្ឌា គោលដៅ (InAs) ។


ពេលវេលាផ្សាយ៖ សីហា-០៣-២០២២