លើសពីនេះទៅទៀត ដូចដែលពួកគេបានបង្ហាញនៅក្នុងក្រដាស "ការបំភាយ bandgap ដោយផ្ទាល់ពី hexagonal germanium និង silicon-germanium alloys" ដែលបានបោះពុម្ពផ្សាយនៅក្នុងទស្សនាវដ្តី Nature ពួកគេអាចធ្វើបាន។រលកវិទ្យុសកម្មអាចលៃតម្រូវបានជាបន្តបន្ទាប់លើជួរធំទូលាយ។យោងតាមពួកគេ របកគំហើញថ្មីទាំងនេះអាចអនុញ្ញាតឱ្យមានការអភិវឌ្ឍនៃបន្ទះសៀគ្វី photonic ដោយផ្ទាល់នៅក្នុងសៀគ្វីបញ្ចូលស៊ីលីកុន-ហ្គេម៉ាញ៉ូម។
គន្លឹះក្នុងការបំប្លែងយ៉ាន់ស្ព័រ SiGe ទៅជាឧបករណ៍បំភាយ bandgap ដោយផ្ទាល់គឺដើម្បីទទួលបានយ៉ាន់ស្ព័រ germanium និង germanium-silicon ជាមួយនឹងរចនាសម្ព័ន្ធបន្ទះឈើឆកោន។អ្នកស្រាវជ្រាវនៅសាកលវិទ្យាល័យបច្ចេកទេស Eindhoven រួមជាមួយនឹងសហការីពីសាកលវិទ្យាល័យបច្ចេកទេសនៃទីក្រុង Munich និងសាកលវិទ្យាល័យ Jena និង Linz បានប្រើ nanowires ដែលផលិតពីសម្ភារៈផ្សេងគ្នាធ្វើជាគំរូសម្រាប់ការលូតលាស់រាងប្រាំមួយ។
nanowires បន្ទាប់មកបម្រើជាគំរូសម្រាប់សែល germanium-silicon ដែលសម្ភារៈមូលដ្ឋានដាក់រចនាសម្ព័ន្ធគ្រីស្តាល់ hexagonal ។ទោះជាយ៉ាងណាក៏ដោយដំបូងឡើយ រចនាសម្ព័ន្ធទាំងនេះមិនអាចរំភើបក្នុងការបញ្ចេញពន្លឺបានទេ។បន្ទាប់ពីផ្លាស់ប្តូរគំនិតជាមួយសហសេវិកនៅវិទ្យាស្ថាន Walther Schottky នៅសាកលវិទ្យាល័យបច្ចេកទេសនៃទីក្រុង Munich ពួកគេបានវិភាគលើលក្ខណៈសម្បត្តិអុបទិកនៃជំនាន់នីមួយៗ ហើយទីបំផុតបានធ្វើឱ្យដំណើរការផលិតកាន់តែប្រសើរឡើងដល់ចំណុចដែល nanowires ពិតជាអាចបញ្ចេញពន្លឺបាន។
សាស្ត្រាចារ្យ Erik Bakkers មកពីសាកលវិទ្យាល័យ Eindhoven University of Technology មានប្រសាសន៍ថា "ក្នុងពេលជាមួយគ្នានេះ យើងសម្រេចបាននូវការអនុវត្តស្ទើរតែអាចប្រៀបធៀបទៅនឹងសារធាតុ indium phosphide ឬ gallium arsenide"។ដូច្នេះការបង្កើតឡាស៊ែរដោយផ្អែកលើយ៉ាន់ស្ព័រ germanium-silicon ដែលអាចបញ្ចូលទៅក្នុងដំណើរការផលិតធម្មតាអាចគ្រាន់តែជាបញ្ហានៃពេលវេលាប៉ុណ្ណោះ។
លោក Jonathan Finley សាស្ត្រាចារ្យផ្នែក semiconductor quantum nanosystems នៅ TUM បាននិយាយថា "ប្រសិនបើយើងអាចផ្តល់អុបទិកទំនាក់ទំនងខាងក្នុង និងអន្តរបន្ទះឈីប ល្បឿនអាចត្រូវបានកើនឡើងដោយកត្តា 1,000" ។អាចកាត់បន្ថយយ៉ាងច្រើននូវចំនួនរ៉ាដាឡាស៊ែរ ឧបករណ៍ចាប់សញ្ញាគីមីសម្រាប់ការវិនិច្ឆ័យវេជ្ជសាស្រ្ត និងបន្ទះសៀគ្វីសម្រាប់វាស់គុណភាពខ្យល់ និងអាហារ។
យ៉ាន់ស្ព័រស៊ីលីកុន germanium រលាយដោយក្រុមហ៊ុនរបស់យើងអាចទទួលយកសមាមាត្រតាមតម្រូវការ
ពេលវេលាផ្សាយ៖ ថ្ងៃទី ២១ មិថុនា ឆ្នាំ ២០២៣