ដូចដែលយើងទាំងអស់គ្នាដឹងហើយថានិន្នាការនៃការអភិវឌ្ឍន៍នៃបច្ចេកវិទ្យាសម្ភារៈគោលដៅគឺទាក់ទងយ៉ាងជិតស្និទ្ធទៅនឹងនិន្នាការអភិវឌ្ឍន៍នៃបច្ចេកវិទ្យាភាពយន្តនៅក្នុងឧស្សាហកម្មកម្មវិធីខាងក្រោម។ជាមួយនឹងការកែលម្អបច្ចេកវិជ្ជានៃផលិតផលភាពយន្ត ឬសមាសធាតុនៅក្នុងឧស្សាហកម្មកម្មវិធី បច្ចេកវិទ្យាគោលដៅក៏គួរផ្លាស់ប្តូរផងដែរ។ជាឧទាហរណ៍ ថ្មីៗនេះ ក្រុមហ៊ុនផលិត Ic បានផ្តោតលើការអភិវឌ្ឍន៍ខ្សែភ្លើងទង់ដែងដែលមានភាពធន់ទាប ដែលត្រូវបានគេរំពឹងថានឹងជំនួសខ្សែភាពយន្តអាលុយមីញ៉ូមដើមយ៉ាងសំខាន់ក្នុងរយៈពេលប៉ុន្មានឆ្នាំខាងមុខ ដូច្នេះការអភិវឌ្ឍន៍នៃគោលដៅទង់ដែង និងគោលដៅរបាំងដែលត្រូវការរបស់ពួកគេនឹងមានភាពបន្ទាន់។
លើសពីនេះ ក្នុងប៉ុន្មានឆ្នាំថ្មីៗនេះ អេក្រង់រាបស្មើរ (FPD) បានជំនួសយ៉ាងទូលំទូលាយនូវអេក្រង់កុំព្យូទ័រ និងទូរទស្សន៍ដែលមានមូលដ្ឋានលើបំពង់ cathode-ray tube (CRT)។វាក៏នឹងបង្កើនយ៉ាងខ្លាំងនូវតម្រូវការបច្ចេកទេស និងទីផ្សារសម្រាប់គោលដៅ ITO ។ហើយបន្ទាប់មកមានបច្ចេកវិទ្យាផ្ទុក។តម្រូវការសម្រាប់ថាសរឹងដែលមានដង់ស៊ីតេខ្ពស់ សមត្ថភាពធំ និងឌីសដែលអាចលុបបានដង់ស៊ីតេខ្ពស់នៅតែបន្តកើនឡើង។ទាំងអស់នេះបាននាំឱ្យមានការផ្លាស់ប្តូរតម្រូវការសម្ភារៈគោលដៅនៅក្នុងឧស្សាហកម្មកម្មវិធី។ខាងក្រោមនេះ យើងនឹងណែនាំពីវិស័យកម្មវិធីសំខាន់នៃគោលដៅ និងនិន្នាការអភិវឌ្ឍន៍នៃគោលដៅក្នុងវិស័យទាំងនេះ។
1. មីក្រូអេឡិចត្រូនិច
នៅក្នុងឧស្សាហកម្មកម្មវិធីទាំងអស់ ឧស្សាហកម្ម semiconductor មានតម្រូវការគុណភាពដ៏តឹងរ៉ឹងបំផុតសម្រាប់ខ្សែភាពយន្តបាញ់ប្រហារគោលដៅ។បន្ទះស៊ីលីកុន 12 អ៊ីញ (300 epistaxis) ត្រូវបានផលិតឥឡូវនេះ។ទទឹងនៃការតភ្ជាប់គ្នាកំពុងថយចុះ។តម្រូវការរបស់អ្នកផលិតស៊ីលីកុន wafer សម្រាប់សម្ភារៈគោលដៅគឺទ្រង់ទ្រាយធំ ភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់ ការបែងចែកទាប និងគ្រាប់ធញ្ញជាតិល្អ ដែលទាមទារឱ្យសម្ភារៈគោលដៅមានរចនាសម្ព័ន្ធមីក្រូល្អប្រសើរ។អង្កត់ផ្ចិតភាគល្អិតគ្រីស្តាល់ និងឯកសណ្ឋាននៃវត្ថុធាតុគោលដៅត្រូវបានចាត់ទុកថាជាកត្តាសំខាន់ដែលប៉ះពាល់ដល់អត្រានៃការបញ្ចេញខ្សែភាពយន្ត។
បើប្រៀបធៀបជាមួយអាលុយមីញ៉ូម ទង់ដែងមានភាពធន់នឹងអេឡិចត្រូម៉ាញេទិកខ្ពស់ និងធន់ទ្រាំទាប ដែលអាចបំពេញតាមតម្រូវការនៃបច្ចេកវិទ្យា conductor នៅក្នុងខ្សែភ្លើង submicron ក្រោម 0.25um ប៉ុន្តែវានាំមកនូវបញ្ហាផ្សេងទៀត៖ កម្លាំងស្អិតទាបរវាងស្ពាន់ និងវត្ថុធាតុដើមសរីរាង្គ។ជាងនេះទៅទៀត វាងាយនឹងប្រតិកម្ម ដែលនាំទៅដល់ការ corrosion នៃទំនាក់ទំនងរវាងទង់ដែង និងការដាច់សៀគ្វីកំឡុងពេលប្រើប្រាស់បន្ទះឈីប។ដើម្បីដោះស្រាយបញ្ហានេះ ស្រទាប់របាំងគួរតែត្រូវបានកំណត់រវាងស្រទាប់ទង់ដែង និង dielectric ។
សមា្ភារៈគោលដៅដែលប្រើក្នុងស្រទាប់របាំងនៃទំនាក់ទំនងស្ពាន់រួមមាន Ta, W, TaSi, WSi ជាដើម ប៉ុន្តែ Ta និង W គឺជាលោហៈធាតុ refractory ។វាពិបាកក្នុងការផលិត ហើយយ៉ាន់ស្ព័រដូចជា molybdenum និង chromium កំពុងត្រូវបានសិក្សាជាវត្ថុធាតុដើមជំនួស។
2. សម្រាប់ការបង្ហាញ
អេក្រង់រាបស្មើ (FPD) បានជះឥទ្ធិពលយ៉ាងខ្លាំងដល់ម៉ូនីទ័រកុំព្យូទ័រ និងទូរទស្សន៍ដែលមានមូលដ្ឋានលើ cathode-ray tube (CRT) ក្នុងរយៈពេលជាច្រើនឆ្នាំមកនេះ ហើយក៏នឹងជំរុញបច្ចេកវិទ្យា និងតម្រូវការទីផ្សារសម្រាប់សម្ភារៈគោលដៅ ITO ផងដែរ។សព្វថ្ងៃនេះមានគោលដៅ ITO ពីរប្រភេទ។មួយគឺត្រូវប្រើស្ថានភាព nanometer នៃ indium oxide និងសំណប៉ាហាំងអុកស៊ីដម្សៅបន្ទាប់ពីការ sintering, ផ្សេងទៀតគឺដើម្បីប្រើ indium tin alloy គោលដៅ.ខ្សែភាពយន្ត ITO អាចត្រូវបានប្រឌិតដោយ DC reactive sputtering លើគោលដៅយ៉ាន់ស្ព័រ indium-tin ប៉ុន្តែផ្ទៃគោលដៅនឹងកត់សុី និងប៉ះពាល់ដល់អត្រា sputtering ហើយវាពិបាកក្នុងការទទួលបានគោលដៅ alloy ទំហំធំ។
សព្វថ្ងៃនេះ វិធីសាស្រ្តទីមួយត្រូវបានអនុម័តជាទូទៅដើម្បីផលិតសម្ភារៈគោលដៅ ITO ដែលជាការស្រោបស្រោបដោយប្រតិកម្ម magnetron sputtering ។វាមានអត្រាប្រាក់បញ្ញើលឿន។កម្រាស់នៃខ្សែភាពយន្តអាចគ្រប់គ្រងបានយ៉ាងត្រឹមត្រូវ ចរន្តកំដៅខ្ពស់ ភាពស៊ីសង្វាក់គ្នានៃខ្សែភាពយន្តគឺល្អ ហើយភាពស្អិតជាប់នៃស្រទាប់ខាងក្រោមមានភាពរឹងមាំ។ប៉ុន្តែវត្ថុធាតុគោលដៅពិបាកផលិតណាស់ ព្រោះអុកស៊ីដឥណ្ឌូណេស៊ី និងអុកស៊ីដសំណប៉ាហាំងមិនងាយរលាយចូលគ្នាទេ។ជាទូទៅ ZrO2, Bi2O3 និង CeO ត្រូវបានជ្រើសរើសជាសារធាតុបន្ថែម sintering ហើយសម្ភារៈគោលដៅដែលមានដង់ស៊ីតេ 93% ~ 98% នៃតម្លៃទ្រឹស្តីអាចទទួលបាន។ការសម្តែងខ្សែភាពយន្ត ITO ដែលបង្កើតឡើងតាមរបៀបនេះមានទំនាក់ទំនងល្អជាមួយសារធាតុបន្ថែម។
ភាពធន់នៃការទប់ស្កាត់នៃខ្សែភាពយន្ត ITO ដែលទទួលបានដោយប្រើសម្ភារៈគោលដៅបែបនេះឈានដល់ 8.1 × 10n-cm ដែលនៅជិតនឹងភាពធន់នៃខ្សែភាពយន្ត ITO សុទ្ធ។ទំហំនៃ FPD និងកញ្ចក់ conductive គឺធំណាស់ ហើយទទឹងនៃកញ្ចក់ conductive អាចឈានដល់ 3133mm ។ដើម្បីកែលម្អការប្រើប្រាស់សម្ភារៈគោលដៅ សម្ភារៈគោលដៅ ITO ដែលមានរាងខុសៗគ្នា ដូចជារាងស៊ីឡាំងត្រូវបានបង្កើតឡើង។ក្នុងឆ្នាំ 2000 គណៈកម្មាធិការរៀបចំផែនការអភិវឌ្ឍន៍ជាតិ និងក្រសួងវិទ្យាសាស្ត្រ និងបច្ចេកវិទ្យាបានរួមបញ្ចូលគោលដៅធំរបស់ ITO នៅក្នុងគោលការណ៍ណែនាំសម្រាប់វិស័យសំខាន់ៗនៃឧស្សាហកម្មព័ត៌មានបច្ចុប្បន្នជាអាទិភាពសម្រាប់ការអភិវឌ្ឍន៍។
3. ការប្រើប្រាស់ការផ្ទុក
បើនិយាយពីបច្ចេកវិជ្ជាផ្ទុកទិន្នន័យ ការអភិវឌ្ឍន៍ថាសរឹងដែលមានដង់ស៊ីតេខ្ពស់ និងទំហំធំ ទាមទារនូវសម្ភារៈខ្សែភាពយន្តដែលស្ទាក់ស្ទើរដ៏ធំ។ខ្សែភាពយន្តចម្រុះ CoF~Cu គឺជារចនាសម្ព័ន្ធដែលត្រូវបានប្រើប្រាស់យ៉ាងទូលំទូលាយនៃខ្សែភាពយន្តដែលស្ទាក់ស្ទើរដ៏ធំ។សម្ភារៈគោលដៅយ៉ាន់ស្ព័រ TbFeCo ដែលត្រូវការសម្រាប់ឌីសម៉ាញេទិកនៅតែស្ថិតក្នុងការអភិវឌ្ឍន៍បន្ថែមទៀត។ឌីសម៉ាញេទិកដែលផលិតជាមួយ TbFeCo មានលក្ខណៈនៃទំហំផ្ទុកធំ អាយុកាលប្រើប្រាស់បានយូរ និងមិនអាចលុបទំនាក់ទំនងម្តងហើយម្តងទៀត។
Antimony germanium telluride based phase change memory (PCM) បានបង្ហាញពីសក្តានុពលពាណិជ្ជកម្មដ៏សំខាន់ ក្លាយជាផ្នែក NOR flash memory និងទីផ្សារ DRAM ជាបច្ចេកវិជ្ជាផ្ទុកជំនួស ទោះជាយ៉ាងណាក៏ដោយ នៅក្នុងការអនុវត្តបានកាត់បន្ថយយ៉ាងឆាប់រហ័សនូវបញ្ហាប្រឈមមួយនៅលើផ្លូវដែលមានគឺខ្វះការកំណត់ឡើងវិញ។ ផលិតកម្មបច្ចុប្បន្នអាចត្រូវបានបន្ទាបបន្ថែមទៀត ឯកតាបិទជិតទាំងស្រុង។ការកាត់បន្ថយចរន្តកំណត់ឡើងវិញកាត់បន្ថយការប្រើប្រាស់ថាមពលនៃអង្គចងចាំ ពង្រីកអាយុកាលថ្ម និងធ្វើឱ្យកម្រិតបញ្ជូនទិន្នន័យប្រសើរឡើង មុខងារសំខាន់ៗទាំងអស់នៅក្នុងឧបករណ៍ប្រើប្រាស់ចល័តខ្ពស់នាពេលបច្ចុប្បន្ននេះ ដែលផ្តោតលើទិន្នន័យជាមជ្ឈមណ្ឌល។
ពេលវេលាផ្សាយ៖ សីហា-០៩-២០២២